Electrical characterization and carrier transportation in Hf-silicate dielectrics using ALD gate stacks for 90nm node MOSFETs: Fid-Bau Portal

Electrical characterization and carrier transportation in Hf-silicate dielectrics using ALD gate stacks for 90nm node MOSFETs

Chen, H. W. / Chen, S. Y. / Chen, K. C. / Huang, H. S. / Liu, C. H. / Chiu, F. C. / Liu, K. W. / Lin, K. C. / Cheng, L. W. / Lin, C. T.

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Chen, H. W. / Chen, S. Y. / Chen, K. C. / Huang, H. S. / Liu, C. H. / Chiu, F. C. / Liu, K. W. / Lin, K. C. / Cheng, L. W. / Lin, C. T.

Electrical characterization and carrier transportation in Hf-silicate dielectrics using ALD gate stacks for 90nm node MOSFETs

Chen, H. W. / Chen, S. Y. / Chen, K. C. / Huang, H. S. / Liu, C. H. / Chiu, F. C. / Liu, K. W. / Lin, K. C. / Cheng, L. W. / Lin, C. T.

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Titel:

Electrical characterization and carrier transportation in Hf-silicate dielectrics using ALD gate stacks for 90nm node MOSFETs

Beteiligte:

Chen, H. W. (Autor:in) / Chen, S. Y. (Autor:in) / Chen, K. C. (Autor:in) / Huang, H. S. (Autor:in) / Liu, C. H. (Autor:in) / Chiu, F. C. (Autor:in) / Liu, K. W. (Autor:in) / Lin, K. C. (Autor:in) / Cheng, L. W. (Autor:in) / Lin, C. T. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 254 ; 6127-6130

Erscheinungsdatum:

01.01.2008

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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