Implantation-caused open volume defects in Ge after flash lamp annealing (FLA) probed by slow positron implantation spectroscopy (SPIS): Fid-Bau Portal

Implantation-caused open volume defects in Ge after flash lamp annealing (FLA) probed by slow positron implantation spectroscopy (SPIS)

Anwand, W. / Skorupa, W. / Schumann, T. / Posselt, M. / Schmidt, B. / Grotzschel, R. / Brauer, G.

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Titel:

Implantation-caused open volume defects in Ge after flash lamp annealing (FLA) probed by slow positron implantation spectroscopy (SPIS)

Beteiligte:

Anwand, W. (Autor:in) / Skorupa, W. (Autor:in) / Schumann, T. (Autor:in) / Posselt, M. (Autor:in) / Schmidt, B. (Autor:in) / Grotzschel, R. (Autor:in) / Brauer, G. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 255 ; 81-83

Erscheinungsdatum:

01.01.2008

Format / Umfang:

3 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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