Improved free-standing GaN Schottky diode characteristics using chemical mechanical polishing: Fid-Bau Portal

Improved free-standing GaN Schottky diode characteristics using chemical mechanical polishing

Arjunan, A. C. / Singh, D. / Wang, H. T. / Ren, F. / Kumar, P. / Singh, R. K. / Pearton, S. J.

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Titel:

Improved free-standing GaN Schottky diode characteristics using chemical mechanical polishing

Beteiligte:

Arjunan, A. C. (Autor:in) / Singh, D. (Autor:in) / Wang, H. T. (Autor:in) / Ren, F. (Autor:in) / Kumar, P. (Autor:in) / Singh, R. K. (Autor:in) / Pearton, S. J. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 255 ; 3085-3089

Erscheinungsdatum:

01.01.2008

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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