High-Temperature Static and Dynamic Reliability Study of 4H-SiC Vertical-Channel JFETs for High-Power System Applications: Fid-Bau Portal

High-Temperature Static and Dynamic Reliability Study of 4H-SiC Vertical-Channel JFETs for High-Power System Applications

Cheng, L. / Martin, P. / Mazzola, M.S. / Sheridan, D.C. / Kelly, R.L. / Bondarenko, V. / Morrison, S. / Gray, R. / Tian, G. / Scofield, J.D.

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Cheng, L. / Martin, P. / Mazzola, M.S. / Sheridan, D.C. / Kelly, R.L. / Bondarenko, V. / Morrison, S. / Gray, R. / Tian, G. / Scofield, J.D.

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Titel:

High-Temperature Static and Dynamic Reliability Study of 4H-SiC Vertical-Channel JFETs for High-Power System Applications

Beteiligte:

Cheng, L. (Autor:in) / Martin, P. (Autor:in) / Mazzola, M.S. (Autor:in) / Sheridan, D.C. (Autor:in) / Kelly, R.L. (Autor:in) / Bondarenko, V. (Autor:in) / Morrison, S. (Autor:in) / Gray, R. (Autor:in) / Tian, G. (Autor:in) / Scofield, J.D. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 600/603 ; 1051-1054

Erscheinungsdatum:

01.01.2009

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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