High-Temperature Operation of 50 A (1600 A/cm^2), 600 V 4H-SiC Vertical-Channel JFETs for High-Power Applications: Fid-Bau Portal

High-Temperature Operation of 50 A (1600 A/cm^2), 600 V 4H-SiC Vertical-Channel JFETs for High-Power Applications

Cheng, L. / Sankin, I. / Bondarenko, V. / Mazzola, M.S. / Scofield, J.D. / Sheridan, D.C. / Martin, P. / Casady, J.R.B. / Casady, J.B.

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Titel:

High-Temperature Operation of 50 A (1600 A/cm^2), 600 V 4H-SiC Vertical-Channel JFETs for High-Power Applications

Beteiligte:

Cheng, L. (Autor:in) / Sankin, I. (Autor:in) / Bondarenko, V. (Autor:in) / Mazzola, M.S. (Autor:in) / Scofield, J.D. (Autor:in) / Sheridan, D.C. (Autor:in) / Martin, P. (Autor:in) / Casady, J.R.B. (Autor:in) / Casady, J.B. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 600/603 ; 1055-1058

Erscheinungsdatum:

01.01.2009

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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