1200 V 4H-SiC BJTs with a Common Emitter Current Gain of 60 and Low On-Resistance: Fid-Bau Portal

1200 V 4H-SiC BJTs with a Common Emitter Current Gain of 60 and Low On-Resistance

Lee, H.S. / Domeij, M. / Zetterling, C.M. / Ghandi, R. / Ostling, M. / Allerstam, F. / Sveinbjornsson, E.O.

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Titel:

1200 V 4H-SiC BJTs with a Common Emitter Current Gain of 60 and Low On-Resistance

Beteiligte:

Lee, H.S. (Autor:in) / Domeij, M. (Autor:in) / Zetterling, C.M. (Autor:in) / Ghandi, R. (Autor:in) / Ostling, M. (Autor:in) / Allerstam, F. (Autor:in) / Sveinbjornsson, E.O. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 600/603 ; 1151-1154

Erscheinungsdatum:

01.01.2009

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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