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    Titel:

    Characterization of Traps in GaN pn Junctions Grown by MOCVD on GaN Substrate Using Deep-Level Transient Spectroscopy

    Beteiligte:

    Tokuda, Y. (Autor:in) / Matsuoka, Y. (Autor:in) / Ueda, H. (Autor:in) / Ishiguro, O. (Autor:in) / Soejima, N. (Autor:in) / Kachi, T. (Autor:in)

    Erschienen in:

    MATERIALS SCIENCE FORUM ; 600/603 ; 1297-1300

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2009

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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