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    Titel:

    Influence of Substrate Preparation and Epitaxial Growth Parameters on the Dislocation Densities in 4H-SiC Epitaxial Layers

    Beteiligte:

    Kallinger, B. (Autor:in) / Thomas, B. (Autor:in) / Friedrich, J. (Autor:in)

    Erschienen in:

    MATERIALS SCIENCE FORUM ; 600/603 ; 143-146

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2009

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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