Mapping of Defects in Large-Area Silicon Carbide Wafers via Photoluminescence and its Correlation with Synchrotron White Beam X-Ray Topography: Fid-Bau Portal

Mapping of Defects in Large-Area Silicon Carbide Wafers via Photoluminescence and its Correlation with Synchrotron White Beam X-Ray Topography

Chen, Y. / Balaji, R. / Dudley, M. / Murthy, M. / Maximenko, S.I. / Freitas, J.A.

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Titel:

Mapping of Defects in Large-Area Silicon Carbide Wafers via Photoluminescence and its Correlation with Synchrotron White Beam X-Ray Topography

Beteiligte:

Chen, Y. (Autor:in) / Balaji, R. (Autor:in) / Dudley, M. (Autor:in) / Murthy, M. (Autor:in) / Maximenko, S.I. (Autor:in) / Freitas, J.A. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 600/603 ; 549-552

Erscheinungsdatum:

01.01.2009

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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