Investigation of Deep Interface Traps in Very-Thin Oxide/Si Structures Prepared at Low Temperatures Using Chemical Solutions: Fid-Bau Portal

Investigation of Deep Interface Traps in Very-Thin Oxide/Si Structures Prepared at Low Temperatures Using Chemical Solutions

Rusnak, J. / Ruzinsky, M. / Imamura, K. / Matsumoto, T. / Stefecka, M. / Takahashi, M. / Kobayashi, H. / Pincik, E.

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Titel:

Investigation of Deep Interface Traps in Very-Thin Oxide/Si Structures Prepared at Low Temperatures Using Chemical Solutions

Beteiligte:

Rusnak, J. (Autor:in) / Ruzinsky, M. (Autor:in) / Imamura, K. (Autor:in) / Matsumoto, T. (Autor:in) / Stefecka, M. (Autor:in) / Takahashi, M. (Autor:in) / Kobayashi, H. (Autor:in) / Pincik, E. (Autor:in) / Gabouze, N.

Erschienen in:

Thin Films and Porous Materials ; 123-128

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 609

Erscheinungsdatum:

01.01.2009

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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