Growth of Ge on Silicon by Ultrahigh Vacuum Chemical Vapor Deposition: Fid-Bau Portal

Growth of Ge on Silicon by Ultrahigh Vacuum Chemical Vapor Deposition

Cheng, B.-w. / Xue, C.-l. / Luo, L.-p. / Han, G.-q. / Zeng, Y.-g. / Xue, H.-y. / Wang, Q.-m.

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Titel:

Growth of Ge on Silicon by Ultrahigh Vacuum Chemical Vapor Deposition

Beteiligte:

Cheng, B.-w. (Autor:in) / Xue, C.-l. (Autor:in) / Luo, L.-p. (Autor:in) / Han, G.-q. (Autor:in) / Zeng, Y.-g. (Autor:in) / Xue, H.-y. (Autor:in) / Wang, Q.-m. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -HANGZHOU- ; 27 ; 118-120

Erscheinungsdatum:

01.01.2009

Format / Umfang:

3 pages

ISSN:

1673-2812

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Unbekannt

Klassifikation:

DDC: 620.11

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