Oxygen precipitation in heavily phosphorus-doped silicon wafer annealed at high temperatures: Fid-Bau Portal

Oxygen precipitation in heavily phosphorus-doped silicon wafer annealed at high temperatures

Zeng, Y. / Yang, D. / Ma, X. / Chen, J. / Que, D.

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Titel:

Oxygen precipitation in heavily phosphorus-doped silicon wafer annealed at high temperatures

Beteiligte:

Zeng, Y. (Autor:in) / Yang, D. (Autor:in) / Ma, X. (Autor:in) / Chen, J. (Autor:in) / Que, D. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B ADVANCED FUNCTIONAL SOLID STATE MATERIALS ; 159-160 ; 145-148

Erscheinungsdatum:

01.01.2009

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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