P-Type 3C-SiC Grown by Sublimation Epitaxy on 6H-SiC Substrates: Fid-Bau Portal

P-Type 3C-SiC Grown by Sublimation Epitaxy on 6H-SiC Substrates

Lebedev, S.P. / Lebedev, A.A. / Abramov, P.L. / Bogdanova, E.V. / Nel son, D.K. / Oganesyan, G.A. / Tregubova, A.S. / Yakimova, R.

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Titel:

P-Type 3C-SiC Grown by Sublimation Epitaxy on 6H-SiC Substrates

Beteiligte:

Lebedev, S.P. (Autor:in) / Lebedev, A.A. (Autor:in) / Abramov, P.L. (Autor:in) / Bogdanova, E.V. (Autor:in) / Nel son, D.K. (Autor:in) / Oganesyan, G.A. (Autor:in) / Tregubova, A.S. (Autor:in) / Yakimova, R. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 615/617 ; 177-180

Erscheinungsdatum:

01.01.2009

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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