Direct Observation of Lifetime Killing Defects in 4H SiC Epitaxial Layers via Spin Dependent Recombination in Transistors: Fid-Bau Portal

Direct Observation of Lifetime Killing Defects in 4H SiC Epitaxial Layers via Spin Dependent Recombination in Transistors

Cochrane, C.J. / Lenahan, P.M. / Lelis, A.J.

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Titel:

Direct Observation of Lifetime Killing Defects in 4H SiC Epitaxial Layers via Spin Dependent Recombination in Transistors

Beteiligte:

Cochrane, C.J. (Autor:in) / Lenahan, P.M. (Autor:in) / Lelis, A.J. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 615/617 ; 299-302

Erscheinungsdatum:

01.01.2009

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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