Observation of Deep-Level Centers in 4H-Silicon Carbide Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors by Spin Dependent Recombination: Fid-Bau Portal

Observation of Deep-Level Centers in 4H-Silicon Carbide Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors by Spin Dependent Recombination

Dautrich, M. S. / Lenahan, P. M. / Lelis, A. J.

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Titel:

Observation of Deep-Level Centers in 4H-Silicon Carbide Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors by Spin Dependent Recombination

Beteiligte:

Dautrich, M. S. (Autor:in) / Lenahan, P. M. (Autor:in) / Lelis, A. J. (Autor:in) / Devaty, R. P. / Larkin, D. J. / Saddow, S. E.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials - 2005 ; 1011-1014

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 527/529

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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