Electrical Characterization of Al Implanted 4H-SiC Layers by Four Point Probe and Scanning Capacitance Microscopy: Fid-Bau Portal

Electrical Characterization of Al Implanted 4H-SiC Layers by Four Point Probe and Scanning Capacitance Microscopy

Giannazzo, F. / Rambach, M. / Salinas, D. / Roccaforte, F. / Raineri, V.

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Titel:

Electrical Characterization of Al Implanted 4H-SiC Layers by Four Point Probe and Scanning Capacitance Microscopy

Beteiligte:

Giannazzo, F. (Autor:in) / Rambach, M. (Autor:in) / Salinas, D. (Autor:in) / Roccaforte, F. (Autor:in) / Raineri, V. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 615/617 ; 457-460

Erscheinungsdatum:

01.01.2009

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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