Activation Study of Implanted N^+ in 6H-SiC by Scanning Capacitance Microscopy: Fid-Bau Portal

Activation Study of Implanted N^+ in 6H-SiC by Scanning Capacitance Microscopy

Raineri, V. / Calcagno, L. / Giannazzo, F. / Goghero, D. / Musumeci, F. / Roccaforte, F. / La Via, F.

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Titel:

Activation Study of Implanted N^+ in 6H-SiC by Scanning Capacitance Microscopy

Beteiligte:

Raineri, V. (Autor:in) / Calcagno, L. (Autor:in) / Giannazzo, F. (Autor:in) / Goghero, D. (Autor:in) / Musumeci, F. (Autor:in) / Roccaforte, F. (Autor:in) / La Via, F. (Autor:in) / Bergman, P. / Janzen, E.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2002 ; 375-378

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 433/436

Erscheinungsdatum:

01.01.2003

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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