Performance of 60 A, 1200 V 4H-SiC DMOSFETs: Fid-Bau Portal

Performance of 60 A, 1200 V 4H-SiC DMOSFETs

Hull, B.A. / Jonas, C. / Ryu, S.H. / Das, M.K. / O Loughlin, M.J. / Husna, F. / Callanan, R. / Richmond, J. / Agarwal, A. / Palmour, J.W.

Zugriff

Zugriff über TIB

Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

Bestellung bei Subito €

Seitennavigation

Dokumentinformationen

Ähnliche Titel

Exportieren, teilen und zitieren

Performance of 60 A, 1200 V 4H-SiC DMOSFETs

Hull, B.A. / Jonas, C. / Ryu, S.H. / Das, M.K. / O Loughlin, M.J. / Husna, F. / Callanan, R. / Richmond, J. / Agarwal, A. / Palmour, J.W.

Performance of 60 A, 1200 V 4H-SiC DMOSFETs

Hull, B.A. / Jonas, C. / Ryu, S.H. / Das, M.K. / O Loughlin, M.J. / Husna, F. / Callanan, R. / Richmond, J. / Agarwal, A. / Palmour, J.W.

Zugriff

Zugriff über TIB

Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

Bestellung bei Subito €

Seitennavigation

Dokumentinformationen

Ähnliche Titel

Exportieren, teilen und zitieren

Dokumentinformationen

Titel:

Performance of 60 A, 1200 V 4H-SiC DMOSFETs

Beteiligte:

Hull, B.A. (Autor:in) / Jonas, C. (Autor:in) / Ryu, S.H. (Autor:in) / Das, M.K. (Autor:in) / O Loughlin, M.J. (Autor:in) / Husna, F. (Autor:in) / Callanan, R. (Autor:in) / Richmond, J. (Autor:in) / Agarwal, A. (Autor:in) / Palmour, J.W. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 615/617 ; 749-752

Erscheinungsdatum:

01.01.2009

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

Cheng, L. / Ryu, S.H. / Agarwal, A.K. et al. | British Library Online Contents | 2012

Reliability Performance of 1200 V and 1700 V 4H-SiC DMOSFETs for Next Generation Power Conversion Applications

Gajewski, D.A. / Ryu, S.H. / Das, M. et al. | British Library Online Contents | 2014

Development of 1200 V, 3.7 m Omega -cm^2 4H-SiC DMOSFETs for Advanced Power Applications

Ryu, S.H. / Cheng, L. / Dhar, S. et al. | British Library Online Contents | 2012

Performance, Reliability, and Robustness of 4H-SiC Power DMOSFETs

Ryu, S.H. / Hull, B.A. / Dhar, S. et al. | British Library Online Contents | 2010

High-Voltage (2.6 kV) Lateral DMOSFETs in 4H-SiC

Spitz, J. / Melloch, M. R. / Cooper, J. A. et al. | British Library Online Contents | 1998

Nach oben