High-Temperature Performance of 1200 V, 200 A 4H-SiC Power DMOSFETs: Fid-Bau Portal

High-Temperature Performance of 1200 V, 200 A 4H-SiC Power DMOSFETs

Cheng, L. / Ryu, S.H. / Agarwal, A.K. / O Loughlin, M.J. / Burk, A.A. / Richmond, J. / Lelis, A. / Scozzie, C. / Palmour, J.

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Cheng, L. / Ryu, S.H. / Agarwal, A.K. / O Loughlin, M.J. / Burk, A.A. / Richmond, J. / Lelis, A. / Scozzie, C. / Palmour, J.

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Titel:

High-Temperature Performance of 1200 V, 200 A 4H-SiC Power DMOSFETs

Beteiligte:

Cheng, L. (Autor:in) / Ryu, S.H. (Autor:in) / Agarwal, A.K. (Autor:in) / O Loughlin, M.J. (Autor:in) / Burk, A.A. (Autor:in) / Richmond, J. (Autor:in) / Lelis, A. (Autor:in) / Scozzie, C. (Autor:in) / Palmour, J. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 717/720 ; 1065-1068

Erscheinungsdatum:

01.01.2012

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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