Development of 1200 V, 3.7 m Omega -cm^2 4H-SiC DMOSFETs for Advanced Power Applications: Fid-Bau Portal

Development of 1200 V, 3.7 m Omega -cm^2 4H-SiC DMOSFETs for Advanced Power Applications

Ryu, S.H. / Cheng, L. / Dhar, S. / Capell, C. / Jonas, C. / Callanan, R. / O Loughlin, M.J. / Burk, A.A. / Lelis, A.J. / Scozzie, C.

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Titel:

Development of 1200 V, 3.7 m Omega -cm^2 4H-SiC DMOSFETs for Advanced Power Applications

Beteiligte:

Ryu, S.H. (Autor:in) / Cheng, L. (Autor:in) / Dhar, S. (Autor:in) / Capell, C. (Autor:in) / Jonas, C. (Autor:in) / Callanan, R. (Autor:in) / O Loughlin, M.J. (Autor:in) / Burk, A.A. (Autor:in) / Lelis, A.J. (Autor:in) / Scozzie, C. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 717/720 ; 1059-1064

Erscheinungsdatum:

01.01.2012

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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