Performance, Reliability, and Robustness of 4H-SiC Power DMOSFETs: Fid-Bau Portal

Performance, Reliability, and Robustness of 4H-SiC Power DMOSFETs

Ryu, S.H. / Hull, B.A. / Dhar, S. / Cheng, L. / Zhang, Q.C. / Richmond, J. / Das, M.K. / Agarwal, A. / Palmour, J. / Lelis, A.J.

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Titel:

Performance, Reliability, and Robustness of 4H-SiC Power DMOSFETs

Beteiligte:

Ryu, S.H. (Autor:in) / Hull, B.A. (Autor:in) / Dhar, S. (Autor:in) / Cheng, L. (Autor:in) / Zhang, Q.C. (Autor:in) / Richmond, J. (Autor:in) / Das, M.K. (Autor:in) / Agarwal, A. (Autor:in) / Palmour, J. (Autor:in) / Lelis, A.J. (Autor:in)

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2009 ; 969-974

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 645/648

Erscheinungsdatum:

01.01.2010

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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