4H-SiC Bipolar Junction Transistors with Graded Based Doping Profile: Fid-Bau Portal

4H-SiC Bipolar Junction Transistors with Graded Based Doping Profile

Zhang, J.H. / Fursin, L. / Li, X.Q. / Wang, X.H. / Zhao, J.H. / VanMil, B.L. / Myers-Ward, R.L. / Eddy, C.R. / Gaskill, D.K.

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Titel:

4H-SiC Bipolar Junction Transistors with Graded Based Doping Profile

Beteiligte:

Zhang, J.H. (Autor:in) / Fursin, L. (Autor:in) / Li, X.Q. (Autor:in) / Wang, X.H. (Autor:in) / Zhao, J.H. (Autor:in) / VanMil, B.L. (Autor:in) / Myers-Ward, R.L. (Autor:in) / Eddy, C.R. (Autor:in) / Gaskill, D.K. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 615/617 ; 829-832

Erscheinungsdatum:

01.01.2009

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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