Raman scattering analysis of the residual stress in metal-induced crystallized amorphous silicon thin films using nickel: Fid-Bau Portal

Raman scattering analysis of the residual stress in metal-induced crystallized amorphous silicon thin films using nickel

Nguyen, T. N. / Nguyen, V. D. / Jung, S. / Yi, J.

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Titel:

Raman scattering analysis of the residual stress in metal-induced crystallized amorphous silicon thin films using nickel

Beteiligte:

Nguyen, T. N. (Autor:in) / Nguyen, V. D. (Autor:in) / Jung, S. (Autor:in) / Yi, J. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 255 ; 8252-8256

Erscheinungsdatum:

01.01.2009

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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