Electrical characterization of high-k gate dielectrics fabricated using plasma oxidation and post-deposition annealing of a Hf/SiO2/Si structure: Fid-Bau Portal

Electrical characterization of high-k gate dielectrics fabricated using plasma oxidation and post-deposition annealing of a Hf/SiO2/Si structure

Sugimoto, Y. / Adachi, H. / Yamamoto, K. / Wang, D. / Nakashima, H.

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Titel:

Electrical characterization of high-k gate dielectrics fabricated using plasma oxidation and post-deposition annealing of a Hf/SiO2/Si structure

Beteiligte:

Sugimoto, Y. (Autor:in) / Adachi, H. (Autor:in) / Yamamoto, K. (Autor:in) / Wang, D. (Autor:in) / Nakashima, H. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 9 ; 1031-1036

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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