Time Sequential Evolutions of Optically-Induced Single Shockley Stacking Faults Formed in 4H-SiC Epitaxial Layers: Fid-Bau Portal

Time Sequential Evolutions of Optically-Induced Single Shockley Stacking Faults Formed in 4H-SiC Epitaxial Layers

Fujimoto, T. / Aigo, T. / Nakabayashi, M. / Satoh, S. / Katsuno, M. / Tsuge, H. / Yashiro, H. / Hirano, H. / Hoshino, T. / Ohashi, W.

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Titel:

Time Sequential Evolutions of Optically-Induced Single Shockley Stacking Faults Formed in 4H-SiC Epitaxial Layers

Beteiligte:

Fujimoto, T. (Autor:in) / Aigo, T. (Autor:in) / Nakabayashi, M. (Autor:in) / Satoh, S. (Autor:in) / Katsuno, M. (Autor:in) / Tsuge, H. (Autor:in) / Yashiro, H. (Autor:in) / Hirano, H. (Autor:in) / Hoshino, T. (Autor:in) / Ohashi, W. (Autor:in)

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2009 ; 319-322

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 645/648

Erscheinungsdatum:

01.01.2010

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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