Fachinformationsdienst BAUdigital

Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik

    Effect of Annealing on Sub-Gap Absorption in Amorphous InGaZnO~4 Films

    Neue Suche nach: Gotoh, T.
    Neue Suche nach: Kawarai, K.
    Neue Suche nach: Wakabayashi, H.
    Neue Suche nach: Kaneda, K.
    Neue Suche nach: Hanaizumi, O.
    Neue Suche nach: Unno, M.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Seitennavigation

    Dokumentinformationen
    Ähnliche Titel

    Exportieren, teilen und zitieren

    Effect of Annealing on Sub-Gap Absorption in Amorphous InGaZnO~4 Films

    Neue Suche nach: Gotoh, T.
    Neue Suche nach: Kawarai, K.
    Neue Suche nach: Wakabayashi, H.
    Neue Suche nach: Kaneda, K.
    Neue Suche nach: Hanaizumi, O.
    Neue Suche nach: Unno, M.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Effect of Annealing on Sub-Gap Absorption in Amorphous InGaZnO~4 Films

    Neue Suche nach: Gotoh, T.
    Neue Suche nach: Kawarai, K.
    Neue Suche nach: Wakabayashi, H.
    Neue Suche nach: Kaneda, K.
    Neue Suche nach: Hanaizumi, O.
    Neue Suche nach: Unno, M.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Seitennavigation

    Dokumentinformationen
    Ähnliche Titel

    Exportieren, teilen und zitieren

    Dokumentinformationen
    Titel:

    Effect of Annealing on Sub-Gap Absorption in Amorphous InGaZnO~4 Films

    Beteiligte:

    Gotoh, T. (Autor:in) / Kawarai, K. (Autor:in) / Wakabayashi, H. (Autor:in) / Kaneda, K. (Autor:in) / Hanaizumi, O. / Unno, M.

    Erschienen in:

    Silicon Science and Advanced Micro-Device Engineering I ; 19-22

    KEY ENGINEERING MATERIALS ; 459

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2011

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    1013-9826

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

    Ähnliche Titel

    Electrical Properties of DC-Sputtered Amorphous InGaZnO~4 Films

    Kaneda, K. / Gotoh, T. | British Library Online Contents | 2013

    Dependence of annealing on stability of transparent amorphous InGaZnO thin film transistor

    Li, X. / Xin, E. / Chen, L. et al. | British Library Online Contents | 2013

    Improvements in passivation effect of amorphous InGaZnO thin film transistors

    Dong, C. / Shi, J. / Wu, J. et al. | British Library Online Contents | 2014

    Sputtered oxides used for passivation layers of amorphous InGaZnO thin film transistors

    Wu, Jie / Chen, Yuting / Zhou, Daxiang et al. | British Library Online Contents | 2015

    Development of annealing process for solution-derived high performance InGaZnO thin-film transistors

    Kim, K. S. / Lee, S. W. / Oh, S. M. et al. | British Library Online Contents | 2013

    Nach oben