Development of annealing process for solution-derived high performance InGaZnO thin-film transistors: Fid-Bau Portal

Development of annealing process for solution-derived high performance InGaZnO thin-film transistors

Kim, K. S. / Lee, S. W. / Oh, S. M. / Cho, W. J.

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Titel:

Development of annealing process for solution-derived high performance InGaZnO thin-film transistors

Beteiligte:

Kim, K. S. (Autor:in) / Lee, S. W. (Autor:in) / Oh, S. M. (Autor:in) / Cho, W. J. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B ADVANCED FUNCTIONAL SOLID STATE MATERIALS ; 178 ; 811-815

Erscheinungsdatum:

01.01.2013

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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