Dependence of annealing on stability of transparent amorphous InGaZnO thin film transistor: Fid-Bau Portal

Dependence of annealing on stability of transparent amorphous InGaZnO thin film transistor

Li, X. / Xin, E. / Chen, L. / Shi, J. / Li, C. / Zhang, J.

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Titel:

Dependence of annealing on stability of transparent amorphous InGaZnO thin film transistor

Beteiligte:

Li, X. (Autor:in) / Xin, E. (Autor:in) / Chen, L. (Autor:in) / Shi, J. (Autor:in) / Li, C. (Autor:in) / Zhang, J. (Autor:in) / Cheong, K. Y. / Paskaleva, A.

Erschienen in:

Advanced Oxides for Electronics ; 1292-1296

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 16

Erscheinungsdatum:

01.01.2013

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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