Fachinformationsdienst BAUdigital

Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik

    Reducing Stacking Faults in Highly Doped N-Type 4H-SiC Crystal

    Neue Suche nach: Kojima, K.
    Neue Suche nach: Kato, T.
    Neue Suche nach: Ito, S.
    Neue Suche nach: Kojima, J.
    Neue Suche nach: Hirose, F.
    Neue Suche nach: Kito, Y.
    Neue Suche nach: Yamauchi, S.
    Neue Suche nach: Nishikawa, K.
    Neue Suche nach: Adachi, A.
    Neue Suche nach: Monakhov, E.V.
    Neue Suche nach: Hornos, T.
    Neue Suche nach: Svensson, B.G.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Seitennavigation

    Dokumentinformationen
    Ähnliche Titel

    Exportieren, teilen und zitieren

    Reducing Stacking Faults in Highly Doped N-Type 4H-SiC Crystal

    Neue Suche nach: Kojima, K.
    Neue Suche nach: Kato, T.
    Neue Suche nach: Ito, S.
    Neue Suche nach: Kojima, J.
    Neue Suche nach: Hirose, F.
    Neue Suche nach: Kito, Y.
    Neue Suche nach: Yamauchi, S.
    Neue Suche nach: Nishikawa, K.
    Neue Suche nach: Adachi, A.
    Neue Suche nach: Monakhov, E.V.
    Neue Suche nach: Hornos, T.
    Neue Suche nach: Svensson, B.G.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Reducing Stacking Faults in Highly Doped N-Type 4H-SiC Crystal

    Neue Suche nach: Kojima, K.
    Neue Suche nach: Kato, T.
    Neue Suche nach: Ito, S.
    Neue Suche nach: Kojima, J.
    Neue Suche nach: Hirose, F.
    Neue Suche nach: Kito, Y.
    Neue Suche nach: Yamauchi, S.
    Neue Suche nach: Nishikawa, K.
    Neue Suche nach: Adachi, A.
    Neue Suche nach: Monakhov, E.V.
    Neue Suche nach: Hornos, T.
    Neue Suche nach: Svensson, B.G.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Seitennavigation

    Dokumentinformationen
    Ähnliche Titel

    Exportieren, teilen und zitieren

    Dokumentinformationen
    Titel:

    Reducing Stacking Faults in Highly Doped N-Type 4H-SiC Crystal

    Beteiligte:

    Kojima, K. (Autor:in) / Kato, T. (Autor:in) / Ito, S. (Autor:in) / Kojima, J. (Autor:in) / Hirose, F. (Autor:in) / Kito, Y. (Autor:in) / Yamauchi, S. (Autor:in) / Nishikawa, K. (Autor:in) / Adachi, A. (Autor:in) / Monakhov, E.V.

    Erschienen in:

    Silicon Carbide and Related Materials 2010 ; 8-11

    MATERIALS SCIENCE FORUM ; 679/680

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2011

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

    Ähnliche Titel

    Generation of Stacking Faults in Highly Doped n-Type 4H-SiC Substrates

    Zhang, M. / Hobgood, H. M. / Treu, M. et al. | British Library Online Contents | 2004

    Specific Aspects of Type II Heteropolytype Stacking Faults in SiC

    Juillaguet, S. / Camassel, J. | British Library Online Contents | 2005

    `Switch-Back Epitaxy' as a Novel Technique for Reducing Stacking Faults in 3C-SiC

    Yagi, K. / Kawahara, T. / Hatta, N. et al. | British Library Online Contents | 2006

    Visualization of Stacking Faults and their Formation in Colloidal Photonic Crystal Films

    Vekris, E. / Kitaev, V. / Perovic, D. D. et al. | British Library Online Contents | 2008

    Residual Stresses and Stacking Faults in n-Type 4H-SiC Epilayers

    Okojie, R. S. / Zhang, M. / Pirouz, P. | British Library Online Contents | 2004

    Nach oben