Relaxation Mechanism of the Defect-Free 3C-SiC Epitaxial Films Grown on Step-Free 4H SiC Mesas: Fid-Bau Portal

Relaxation Mechanism of the Defect-Free 3C-SiC Epitaxial Films Grown on Step-Free 4H SiC Mesas

Du, H. / Skowronski, M. / Neudeck, P. G. / Trunek, A. J. / Spry, D. J. / Powell, J. A.

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Titel:

Relaxation Mechanism of the Defect-Free 3C-SiC Epitaxial Films Grown on Step-Free 4H SiC Mesas

Beteiligte:

Du, H. (Autor:in) / Skowronski, M. (Autor:in) / Neudeck, P. G. (Autor:in) / Trunek, A. J. (Autor:in) / Spry, D. J. (Autor:in) / Powell, J. A. (Autor:in) / Devaty, R. P. / Larkin, D. J. / Saddow, S. E.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials - 2005 ; 279-282

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 527/529

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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