Bipolar Degradation of High Voltage 4H-SiC p-i-n Diodes in Pulse Regime: Fid-Bau Portal

Bipolar Degradation of High Voltage 4H-SiC p-i-n Diodes in Pulse Regime

Levinshtein, M.E. / Ivanov, P.A. / Palmour, J. / Agarwal, A. / Das, M.K.

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Titel:

Bipolar Degradation of High Voltage 4H-SiC p-i-n Diodes in Pulse Regime

Beteiligte:

Levinshtein, M.E. (Autor:in) / Ivanov, P.A. (Autor:in) / Palmour, J. (Autor:in) / Agarwal, A. (Autor:in) / Das, M.K. (Autor:in) / Monakhov, E.V. / Hornos, T. / Svensson, B.G.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2010 ; 539-542

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 679/680

Erscheinungsdatum:

01.01.2011

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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