Study of 4H-SiC High-Voltage Bipolar Diodes under Reverse Bias Using Electrical and OBIC Characterization: Fid-Bau Portal

Study of 4H-SiC High-Voltage Bipolar Diodes under Reverse Bias Using Electrical and OBIC Characterization

Isoird, K. / Lazar, M. / Locatelli, M.-L. / Raynaud, C. / Planson, D. / Chante, J. P.

Zugriff

Zugriff über TIB

Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

Bestellung bei Subito €

Seitennavigation

Dokumentinformationen

Ähnliche Titel

Exportieren, teilen und zitieren

Study of 4H-SiC High-Voltage Bipolar Diodes under Reverse Bias Using Electrical and OBIC Characterization

Isoird, K. / Lazar, M. / Locatelli, M.-L. / Raynaud, C. / Planson, D. / Chante, J. P.

Study of 4H-SiC High-Voltage Bipolar Diodes under Reverse Bias Using Electrical and OBIC Characterization

Isoird, K. / Lazar, M. / Locatelli, M.-L. / Raynaud, C. / Planson, D. / Chante, J. P.

Zugriff

Zugriff über TIB

Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

Bestellung bei Subito €

Seitennavigation

Dokumentinformationen

Ähnliche Titel

Exportieren, teilen und zitieren

Dokumentinformationen

Titel:

Study of 4H-SiC High-Voltage Bipolar Diodes under Reverse Bias Using Electrical and OBIC Characterization

Beteiligte:

Isoird, K. (Autor:in) / Lazar, M. (Autor:in) / Locatelli, M.-L. (Autor:in) / Raynaud, C. (Autor:in) / Planson, D. (Autor:in) / Chante, J. P. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 389/393 ; 1289-1292

Erscheinungsdatum:

01.01.2002

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

Wang, S. R. / Raynaud, C. / Planson, D. et al. | British Library Online Contents | 2003

Study of the Breakdown Voltage of Protected or Non-Protected 6H-SiC Bipolar Diodes by OBIC Characterisation

Isoird, K. / Ottaviani, L. / Locatelli, M. L. et al. | British Library Online Contents | 2000

Study of 6H-SiC high voltage bipolar diodes under reverse biases

Isoird, K. / Lazar, M. / Ottaviani, L. et al. | British Library Online Contents | 2001

OBIC Analysis of Different Edge Terminations of Planar 1.6 kV 4H-SiC Diodes

Raynaud, C. / Loup, D. / Godignon, P. et al. | British Library Online Contents | 2007

OBIC Measurements on Avalanche Diodes in 4H-SiC for the Determination of Impact Ionization Coefficients

Nguyen, D.M. / Raynaud, C. / Lazar, M. et al. | British Library Online Contents | 2012

Nach oben