1200 V SiC BJTs with Low V~C~E~S~A~T and High Temperature Capability: Fid-Bau Portal

1200 V SiC BJTs with Low V~C~E~S~A~T and High Temperature Capability

Domeij, M. / Lindgren, A. / Zaring, C. / Konstantinov, A.O. / Gumaelius, K. / Grenell, H. / Keri, I. / Svedberg, J.O. / Reimark, M.

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Domeij, M. / Lindgren, A. / Zaring, C. / Konstantinov, A.O. / Gumaelius, K. / Grenell, H. / Keri, I. / Svedberg, J.O. / Reimark, M.

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Titel:

1200 V SiC BJTs with Low V~C~E~S~A~T and High Temperature Capability

Beteiligte:

Domeij, M. (Autor:in) / Lindgren, A. (Autor:in) / Zaring, C. (Autor:in) / Konstantinov, A.O. (Autor:in) / Gumaelius, K. (Autor:in) / Grenell, H. (Autor:in) / Keri, I. (Autor:in) / Svedberg, J.O. (Autor:in) / Reimark, M. (Autor:in) / Monakhov, E.V.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2010 ; 686-689

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 679/680

Erscheinungsdatum:

01.01.2011

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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