Enhancement of saturation magnetization in Cr-ion implanted silicon by high temperature annealing: Fid-Bau Portal

Enhancement of saturation magnetization in Cr-ion implanted silicon by high temperature annealing

Yang, S. / Zhang, W. / Chen, J. / Zhou, Z. / Ai, Z. / Guo, L. / Liu, C. / Du, H.

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Titel:

Enhancement of saturation magnetization in Cr-ion implanted silicon by high temperature annealing

Beteiligte:

Yang, S. (Autor:in) / Zhang, W. (Autor:in) / Chen, J. (Autor:in) / Zhou, Z. (Autor:in) / Ai, Z. (Autor:in) / Guo, L. (Autor:in) / Liu, C. (Autor:in) / Du, H. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 257 ; 8465-8468

Erscheinungsdatum:

01.01.2011

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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