Evolution of SiGe nanoclusters and micro defects in the Si1-xGex layer fabricated by two-step ion implantation and subsequent thermal annealing: Fid-Bau Portal

Evolution of SiGe nanoclusters and micro defects in the Si1-xGex layer fabricated by two-step ion implantation and subsequent thermal annealing

Xu, W. / Tu, H. / Xiao, Q. / Chang, Q. / Li, Z. / Liu, D.

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Titel:

Evolution of SiGe nanoclusters and micro defects in the Si1-xGex layer fabricated by two-step ion implantation and subsequent thermal annealing

Beteiligte:

Xu, W. (Autor:in) / Tu, H. (Autor:in) / Xiao, Q. (Autor:in) / Chang, Q. (Autor:in) / Li, Z. (Autor:in) / Liu, D. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 257 ; 9260-9263

Erscheinungsdatum:

01.01.2011

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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