Effect of MgO buffer layer thickness on the electrical properties of MgZnO thin film transistors fabricated by plasma assisted molecular beam epitaxy: Fid-Bau Portal

Effect of MgO buffer layer thickness on the electrical properties of MgZnO thin film transistors fabricated by plasma assisted molecular beam epitaxy

Huang, H. Q. / Liu, F. J. / Sun, J. / Zhao, J. W. / Hu, Z. F. / Li, Z. J. / Zhang, X. Q. / Wang, Y. S.

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Titel:

Effect of MgO buffer layer thickness on the electrical properties of MgZnO thin film transistors fabricated by plasma assisted molecular beam epitaxy

Beteiligte:

Huang, H. Q. (Autor:in) / Liu, F. J. (Autor:in) / Sun, J. (Autor:in) / Zhao, J. W. (Autor:in) / Hu, Z. F. (Autor:in) / Li, Z. J. (Autor:in) / Zhang, X. Q. (Autor:in) / Wang, Y. S. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 257 ; 10721-10724

Erscheinungsdatum:

01.01.2011

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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