4H-SiC Epitaxial Growth on 2^o Off-Axis Substrates using Trichlorosilane (TCS): Fid-Bau Portal

4H-SiC Epitaxial Growth on 2^o Off-Axis Substrates using Trichlorosilane (TCS)

Aigo, T. / Ito, W. / Tsuge, H. / Yashiro, H. / Katsuno, M. / Fujimoto, T. / Ohashi, W.

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Titel:

4H-SiC Epitaxial Growth on 2^o Off-Axis Substrates using Trichlorosilane (TCS)

Beteiligte:

Aigo, T. (Autor:in) / Ito, W. (Autor:in) / Tsuge, H. (Autor:in) / Yashiro, H. (Autor:in) / Katsuno, M. (Autor:in) / Fujimoto, T. (Autor:in) / Ohashi, W. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 717/720 ; 101-104

Erscheinungsdatum:

01.01.2012

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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