Critical Density of Nanoscale Pits for Suppressing Variability in Leakage Current of a SiC Schottky Barrier Diode: Fid-Bau Portal

Critical Density of Nanoscale Pits for Suppressing Variability in Leakage Current of a SiC Schottky Barrier Diode

Ishikawa, T. / Katsuno, T. / Watanabe, Y. / Fujiwara, H. / Endo, T.

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Titel:

Critical Density of Nanoscale Pits for Suppressing Variability in Leakage Current of a SiC Schottky Barrier Diode

Beteiligte:

Ishikawa, T. (Autor:in) / Katsuno, T. (Autor:in) / Watanabe, Y. (Autor:in) / Fujiwara, H. (Autor:in) / Endo, T. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 717/720 ; 371-374

Erscheinungsdatum:

01.01.2012

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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