OBIC Measurements on Avalanche Diodes in 4H-SiC for the Determination of Impact Ionization Coefficients: Fid-Bau Portal

OBIC Measurements on Avalanche Diodes in 4H-SiC for the Determination of Impact Ionization Coefficients

Nguyen, D.M. / Raynaud, C. / Lazar, M. / Paques, G. / Scharnholz, S. / Dheilly, N. / Tournier, D. / Planson, D.

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Titel:

OBIC Measurements on Avalanche Diodes in 4H-SiC for the Determination of Impact Ionization Coefficients

Beteiligte:

Nguyen, D.M. (Autor:in) / Raynaud, C. (Autor:in) / Lazar, M. (Autor:in) / Paques, G. (Autor:in) / Scharnholz, S. (Autor:in) / Dheilly, N. (Autor:in) / Tournier, D. (Autor:in) / Planson, D. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 717/720 ; 545-548

Erscheinungsdatum:

01.01.2012

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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