OBIC Analysis of Different Edge Terminations of Planar 1.6 kV 4H-SiC Diodes: Fid-Bau Portal

OBIC Analysis of Different Edge Terminations of Planar 1.6 kV 4H-SiC Diodes

Raynaud, C. / Loup, D. / Godignon, P. / Rodriguez, R. P. / Tournier, D. / Planson, D.

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Titel:

OBIC Analysis of Different Edge Terminations of Planar 1.6 kV 4H-SiC Diodes

Beteiligte:

Raynaud, C. (Autor:in) / Loup, D. (Autor:in) / Godignon, P. (Autor:in) / Rodriguez, R. P. (Autor:in) / Tournier, D. (Autor:in) / Planson, D. (Autor:in) / Wright, N. / Johnson, C. M. / Vassilevski, K. / Nikitina, I.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2006 ; 1007-1010

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 556/557

Erscheinungsdatum:

01.01.2007

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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