Reliable Operation of 1200-V SiC Vertical Junction-Field-Effect-Transistor Subjected to 16,000-Pulse Hard Switching Stressing: Fid-Bau Portal

Reliable Operation of 1200-V SiC Vertical Junction-Field-Effect-Transistor Subjected to 16,000-Pulse Hard Switching Stressing

Lawson, K. / Alvarez, G. / Bayne, S.B. / Veliadis, V. / Ha, H.C. / Urciuoli, D. / Scozzie, C.

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Titel:

Reliable Operation of 1200-V SiC Vertical Junction-Field-Effect-Transistor Subjected to 16,000-Pulse Hard Switching Stressing

Beteiligte:

Lawson, K. (Autor:in) / Alvarez, G. (Autor:in) / Bayne, S.B. (Autor:in) / Veliadis, V. (Autor:in) / Ha, H.C. (Autor:in) / Urciuoli, D. (Autor:in) / Scozzie, C. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 717/720 ; 1021-1024

Erscheinungsdatum:

01.01.2012

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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