Avalanche Breakdown Energy in Silicon Carbide Junction Field Effect Transistors: Fid-Bau Portal

Avalanche Breakdown Energy in Silicon Carbide Junction Field Effect Transistors

Hinojosa, M. / Bayne, S. / Veliadis, V. / Urciuoli, D.

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Titel:

Avalanche Breakdown Energy in Silicon Carbide Junction Field Effect Transistors

Beteiligte:

Hinojosa, M. (Autor:in) / Bayne, S. (Autor:in) / Veliadis, V. (Autor:in) / Urciuoli, D. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 717/720 ; 1025-1028

Erscheinungsdatum:

01.01.2012

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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