Gate-Length Dependent Radiation Damage in 2-MeV Electron-Irradiated Si~1~-~xGe~x S/D p-MOSFETs: Fid-Bau Portal

Gate-Length Dependent Radiation Damage in 2-MeV Electron-Irradiated Si~1~-~xGe~x S/D p-MOSFETs

Nakashima, T. / Idemoto, T. / Tsunoda, I. / Takakura, K. / Yoneoka, M. / Ohyama, H. / Yoshino, K. / Simoen, E. / Claeys, C.

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Titel:

Gate-Length Dependent Radiation Damage in 2-MeV Electron-Irradiated Si~1~-~xGe~x S/D p-MOSFETs

Beteiligte:

Nakashima, T. (Autor:in) / Idemoto, T. (Autor:in) / Tsunoda, I. (Autor:in) / Takakura, K. (Autor:in) / Yoneoka, M. (Autor:in) / Ohyama, H. (Autor:in) / Yoshino, K. (Autor:in) / Simoen, E. (Autor:in) / Claeys, C. (Autor:in) / Yamada-Kaneta, H.

Erschienen in:

Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors XIV ; 235-238

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 725

Erscheinungsdatum:

01.01.2012

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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