Radiation damage in proton-irradiated strained Si n-MOSFETs: Fid-Bau Portal

Radiation damage in proton-irradiated strained Si n-MOSFETs

Hayama, K. / Takakura, K. / Ohtani, T. / Kudou, T. / Ohyama, H. / Mercha, A. / Simoen, E. / Claeys, C.

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Titel:

Radiation damage in proton-irradiated strained Si n-MOSFETs

Beteiligte:

Hayama, K. (Autor:in) / Takakura, K. (Autor:in) / Ohtani, T. (Autor:in) / Kudou, T. (Autor:in) / Ohyama, H. (Autor:in) / Mercha, A. (Autor:in) / Simoen, E. (Autor:in) / Claeys, C. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 11 ; 314-318

Erscheinungsdatum:

01.01.2008

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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