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    Dokumentinformationen
    Titel:

    Investigation of gate edge effect on interface trap density in 3C-SiC MOS capacitors

    Beteiligte:

    Gutt, T. (Autor:in) / Malachowski, T. (Autor:in) / Przewlocki, H. M. (Autor:in) / Engstrom, O. (Autor:in) / Bakowski, M. (Autor:in) / Esteve, R. (Autor:in)

    Erschienen in:

    MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B ADVANCED FUNCTIONAL SOLID STATE MATERIALS ; 177 ; 1327-1330

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2012

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0921-5107

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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