Fachinformationsdienst BAUdigital

Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik

    Hall Factor Calculation for the Characterization of Transport Properties in N-Channel 4H-SiC MOSFETs

    Neue Suche nach: Uhnevionak, V.
    Neue Suche nach: Burenkov, A.
    Neue Suche nach: Strenger, C.
    Neue Suche nach: Mortet, V.
    Neue Suche nach: Bedel-Pereira, E.
    Neue Suche nach: Cristiano, F.
    Neue Suche nach: Bauer, A.J.
    Neue Suche nach: Pichler, P.
    Neue Suche nach: Okumura, H.
    Neue Suche nach: Harima, H.
    Neue Suche nach: Kimoto, T.
    Neue Suche nach: Yoshimoto, M.
    Neue Suche nach: Watanabe, H.
    Neue Suche nach: Hatayama, T.
    Neue Suche nach: Matsuura, H.
    Neue Suche nach: Funaki, T.
    Neue Suche nach: Sano, Y.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Seitennavigation

    Dokumentinformationen
    Ähnliche Titel

    Exportieren, teilen und zitieren

    Hall Factor Calculation for the Characterization of Transport Properties in N-Channel 4H-SiC MOSFETs

    Neue Suche nach: Uhnevionak, V.
    Neue Suche nach: Burenkov, A.
    Neue Suche nach: Strenger, C.
    Neue Suche nach: Mortet, V.
    Neue Suche nach: Bedel-Pereira, E.
    Neue Suche nach: Cristiano, F.
    Neue Suche nach: Bauer, A.J.
    Neue Suche nach: Pichler, P.
    Neue Suche nach: Okumura, H.
    Neue Suche nach: Harima, H.
    Neue Suche nach: Kimoto, T.
    Neue Suche nach: Yoshimoto, M.
    Neue Suche nach: Watanabe, H.
    Neue Suche nach: Hatayama, T.
    Neue Suche nach: Matsuura, H.
    Neue Suche nach: Funaki, T.
    Neue Suche nach: Sano, Y.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Hall Factor Calculation for the Characterization of Transport Properties in N-Channel 4H-SiC MOSFETs

    Neue Suche nach: Uhnevionak, V.
    Neue Suche nach: Burenkov, A.
    Neue Suche nach: Strenger, C.
    Neue Suche nach: Mortet, V.
    Neue Suche nach: Bedel-Pereira, E.
    Neue Suche nach: Cristiano, F.
    Neue Suche nach: Bauer, A.J.
    Neue Suche nach: Pichler, P.
    Neue Suche nach: Okumura, H.
    Neue Suche nach: Harima, H.
    Neue Suche nach: Kimoto, T.
    Neue Suche nach: Yoshimoto, M.
    Neue Suche nach: Watanabe, H.
    Neue Suche nach: Hatayama, T.
    Neue Suche nach: Matsuura, H.
    Neue Suche nach: Funaki, T.
    Neue Suche nach: Sano, Y.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Seitennavigation

    Dokumentinformationen
    Ähnliche Titel

    Exportieren, teilen und zitieren

    Dokumentinformationen
    Titel:

    Hall Factor Calculation for the Characterization of Transport Properties in N-Channel 4H-SiC MOSFETs

    Beteiligte:

    Uhnevionak, V. (Autor:in) / Burenkov, A. (Autor:in) / Strenger, C. (Autor:in) / Mortet, V. (Autor:in) / Bedel-Pereira, E. (Autor:in) / Cristiano, F. (Autor:in) / Bauer, A.J. (Autor:in) / Pichler, P. (Autor:in) / Okumura, H. / Harima, H.

    Erschienen in:

    Silicon Carbide and Related Materials 2013 PART 1 Selected, peer reviewed papers from the 15^t^h International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, (ICSCRM 2013), September 29 - October 4, 2013, Miyazaki, Japan ; 483-486

    MATERIALS SCIENCE FORUM ; 778/780

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2014

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

    Ähnliche Titel

    Hall Effect Characterization of 4H-SiC MOSFETs: Influence of Nitrogen Channel Implantation

    Mortet, V. / Bedel-Pereira, E. / Bobo, J.F. et al. | British Library Online Contents | 2013

    Hall Effect in the Channel of 3C-SiC MOSFETs

    Krieger, M. / Pensl, G. / Bakowski, M. et al. | British Library Online Contents | 2005

    Hall Effect and Admittance Measurements of n-Channel 6H-SiC MOSFETs

    Lee, K. K. / Laube, M. / Ohshima, T. et al. | British Library Online Contents | 2007

    Channel Doped SiC-MOSFETs

    Ogino, S. / Oikawa, T. / Ueno, K. | British Library Online Contents | 2000

    Comparison of the Electrical Channel Properties between Dry- and Wet-Oxidized 6H-SiC MOSFETs Investigated by Hall Effect

    Laube, M. / Pensl, G. / Lee, K. K. et al. | British Library Online Contents | 2004

    Nach oben