Development of Homoepitaxial Growth Technique on 4H-SiC Vicinal Off Angled Substrate: Fid-Bau Portal

Development of Homoepitaxial Growth Technique on 4H-SiC Vicinal Off Angled Substrate

Kojima, K. / Masumoto, K. / Ito, S. / Nagata, A. / Okumura, H.

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Titel:

Development of Homoepitaxial Growth Technique on 4H-SiC Vicinal Off Angled Substrate

Beteiligte:

Kojima, K. (Autor:in) / Masumoto, K. (Autor:in) / Ito, S. (Autor:in) / Nagata, A. (Autor:in) / Okumura, H. (Autor:in) / Okumura, H. / Harima, H. / Kimoto, T. / Yoshimoto, M. / Watanabe, H.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2013 PART 1 Selected, peer reviewed papers from the 15^t^h International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, (ICSCRM 2013), September 29 - October 4, 2013, Miyazaki, Japan ; 125-130

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 778/780

Erscheinungsdatum:

01.01.2014

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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