Characterization of the Defect Evolution in Thick Heavily Al-Doped 4H-SiC Epilayers: Fid-Bau Portal

Characterization of the Defect Evolution in Thick Heavily Al-Doped 4H-SiC Epilayers

Ji, S.Y. / Kojima, K. / Ishida, Y. / Yamaguchi, H. / Saito, S. / Kato, T. / Tsuchida, H. / Yoshida, S. / Okumura, H.

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Titel:

Characterization of the Defect Evolution in Thick Heavily Al-Doped 4H-SiC Epilayers

Beteiligte:

Ji, S.Y. (Autor:in) / Kojima, K. (Autor:in) / Ishida, Y. (Autor:in) / Yamaguchi, H. (Autor:in) / Saito, S. (Autor:in) / Kato, T. (Autor:in) / Tsuchida, H. (Autor:in) / Yoshida, S. (Autor:in) / Okumura, H. (Autor:in) / Okumura, H.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2013 PART 1 Selected, peer reviewed papers from the 15^t^h International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, (ICSCRM 2013), September 29 - October 4, 2013, Miyazaki, Japan ; 151-154

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 778/780

Erscheinungsdatum:

01.01.2014

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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