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    Titel:

    Demonstration of High Quality 4H-SiC Epitaxy by Using the Two-Step Growth Method

    Beteiligte:

    Mitani, Y. (Autor:in) / Tomita, N. (Autor:in) / Hamano, K. (Autor:in) / Tarutani, M. (Autor:in) / Tanaka, T. (Autor:in) / Ohno, A. (Autor:in) / Kuroiwa, T. (Autor:in) / Toyoda, Y. (Autor:in) / Imaizumi, M. (Autor:in) / Sumitani, H. (Autor:in)

    Erschienen in:

    Silicon Carbide and Related Materials 2013 PART 1 Selected, peer reviewed papers from the 15^t^h International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, (ICSCRM 2013), September 29 - October 4, 2013, Miyazaki, Japan ; 167-170

    MATERIALS SCIENCE FORUM ; 778/780

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2014

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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