Reduction of Density of 4H-SiC / SiO~2 Interface Traps by Pre-Oxidation Phosphorus Implantation: Fid-Bau Portal

Reduction of Density of 4H-SiC / SiO~2 Interface Traps by Pre-Oxidation Phosphorus Implantation

Sledziewski, T. / Mikhaylov, A. / Reshanov, S. / Schoner, A. / Weber, H.B. / Krieger, M.

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Titel:

Reduction of Density of 4H-SiC / SiO~2 Interface Traps by Pre-Oxidation Phosphorus Implantation

Beteiligte:

Sledziewski, T. (Autor:in) / Mikhaylov, A. (Autor:in) / Reshanov, S. (Autor:in) / Schoner, A. (Autor:in) / Weber, H.B. (Autor:in) / Krieger, M. (Autor:in) / Okumura, H. / Harima, H. / Kimoto, T. / Yoshimoto, M.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2013 PART 1 Selected, peer reviewed papers from the 15^t^h International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, (ICSCRM 2013), September 29 - October 4, 2013, Miyazaki, Japan ; 575-578

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 778/780

Erscheinungsdatum:

01.01.2014

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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